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NS-K3

NS-K3
电容薄膜原理

半导体制造

离子注入机、ALD设备、CVD设备

真空设备、医疗、食品等

电容薄膜原理

技术参数
参数Specifications技术指标 Technique data
测量范围Measuring ranges

3kPa、     5kPa、    10kPa、    30kPa、    50kPa

20 Torr、 35 Torr、 75 Torr、 225 Torr、 375 Torr

测量精度Measuring accuracy0.20(at23℃)% of reading
测量重复性Measuring repeatability全量程 1%
温度特性Temperature characteristics

工作温度:-40°C~+75°C

存储温度:-40°C~+75°C

最大功耗Max power consumption1.5 W Max
供电电源Power supply

24VDC

输出信号Output signal

0~10V 

RS485数据通信,支持Modbus-RTU协议

真空腔体Vacuum chamber

接口:DN16ISO-KF(其他可选)


接线定义

外形尺寸图

K3外形.png

选型表

K3选型.png

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